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EINNO-ES5131&ES5132
    发布时间: 2022-05-07 14:59    

100A智能功率级(SPS/DrMOS)ES5131&ES5132超高效率

ES5131/ES5132特点

内置自举电容,可以减少外围元件数量,降低成本。分别通过电流信号和电压信号来实时报告MOSFET的电流信息,其精度可达3%。相比采样电阻检测,该控制方式可以省去采样电阻的损耗和成本;相比DCR电流检测,该控制方式可以选取更低DCR的电感同时具有更好的准确度和温度特性。

在开关时,具有极短的死区时间,并且在大电流负载条件下时有着卓越的电压尖峰抑制性能。

集成功率MOSFET和栅极驱动器

宽输入电压范围:4.25V至16V

输出电压范围:0.25V至5.5V

连续输出电流能力70A 

逐周期的100A峰值限流

最高工作频率2MHz

过流保护锁死功能

兼容3.3V三态PWM信号的控制器

实时电流采样

实时温度采样

过温保护

内置自举电容

VCC、VDRV和自举电容的欠压保护功能

故障报告15.5mm×6mm×0.87mm LQFN 封装


EINNO-ES5131&ES5132





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