EINNO-ES5131&ES5132
发布时间: 2022-05-07 14:59
100A智能功率级(SPS/DrMOS)ES5131&ES5132超高效率
ES5131/ES5132特点
内置自举电容,可以减少外围元件数量,降低成本。分别通过电流信号和电压信号来实时报告MOSFET的电流信息,其精度可达3%。相比采样电阻检测,该控制方式可以省去采样电阻的损耗和成本;相比DCR电流检测,该控制方式可以选取更低DCR的电感同时具有更好的准确度和温度特性。
在开关时,具有极短的死区时间,并且在大电流负载条件下时有着卓越的电压尖峰抑制性能。
█ 集成功率MOSFET和栅极驱动器
█ 宽输入电压范围:4.25V至16V
█ 输出电压范围:0.25V至5.5V
█ 连续输出电流能力70A
█ 逐周期的100A峰值限流
█ 最高工作频率2MHz
█ 过流保护锁死功能
█ 兼容3.3V三态PWM信号的控制器
█ 实时电流采样
█ 实时温度采样
█ 过温保护
█ 内置自举电容
█ VCC、VDRV和自举电容的欠压保护功能
█ 故障报告15.5mm×6mm×0.87mm LQFN 封装